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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很 08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，选NMOS。NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。使用程序状态功能监视数据块点击数据块工具栏上的监视按钮，自动切换到“数据视图”显示方式，数据块内的存储单元在线的数值在实际值列中显示，程序状态被后，不能切换“声明视图”方式。结构的生成和使用结构的生成可以在数据块中或逻辑块的声明表中定义结构，下面介绍在数据块中定义的方法，在上面DB3数据块中，再定义一个结构，名为stack的结构由3个不同数据类型的变量组成。如下图所示：在“ARRAY”下面的INT，按回车键，在该单元下面生成一个空白行，在名称输入stack，在类型列单元点右键选择复杂数据类型，选择STRUCT，（也可以直接输入STRUCT），按回车后再改行下面出现新的行，按如图输入。不同于无源关量输出的行程关，绝大多数的接近关（少部分特殊型号的接近关可以直接输出无源关量信号，但受封装形式所限，其内部继电器触点容量有限，通常在1A左右）输出的是有源电位信号——高电平（接近于其工作电压）；低电平（GND）。以电子线路为基础的接近关，是通过检测物体远近引起其内部电感量/电容量变化，来出相应输出的（感性接近关只能对金属被测对象出反应；容性接近关除能对金属对象出反应外，它还可以对非金属材料的固体、液体出反应）。如果两者不同，则需要测量一下输入模块。如果发现存在问题，则需要更换I/O装置、现场接线、电源等。否则，需要更换输入模块。学习PLC知识请关注微信公众号“电工电气学习”。如果信号是线圈，没有输出或输出与线圈的状态不同，则需要用编程器检查输出的驱动逻辑，并检查程序清单。如果信号是定时器，并停在小于999.9的非零值上，则需要更换CPU模块。如果该信号控制一个计数器，则需要先检查控制复位的逻辑，再检查计数器信号。!Proteus!现在回头想想模电的理论知识也不难，虽然我们掌握了，但是在应用的时候却无可下手，这是为什么呢？其实无从下手的主要原因是我们对电子元器件没有“感觉”，对、就是“感觉”，学习知识有时候也是需要感觉的，就拿一个4700u耐压30V的滤波电容来说吧，我们给他串联一个10k的电阻，现在如果给他用10V的直流电充电，你知道充电几秒钟能充满吗？这时候你可能又要拿出公式计算了，这时候RC充放电的公式你如果忘了呢？这些都是阻碍学习的阻力，我们的理论知识可能不比一些的工程师差，笔者现在的同事有很多老工程师，他们遇到这种问题，没有一个计算的，而是直接凭感觉就能知道。